中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一种电子元件，主要用于电子设备的功率控制。其工作原理基于增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的导电通道，从而实现电流的控制。主要应用在消费适配器、电子工具和DC/DC 转换器。
功能特性：
• 设备额定电压VDS:=100V,连续工作时漏极电流上限 ID = 105A
• 导通电阻=8mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 20A
• 专有高密度沟槽技术
•符合RoHS和无卤素 （不含卤素或卤素含量极低的材料或产品）
封装：DFN 5*6-8L
参数：
VDS（Drain-Source Voltage）：100V
VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限100A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值66A
IDM（Pulsed Drain Current）：420A
PD（Total Power Dissipation）：TC = 25℃ 对应208W,TA = 25℃对应2.08W
EAS单脉冲雪崩能量:161mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:60°C\W
RθJC:结到壳的热阻:0.6°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
注：电气特性 除非另有说明，TC=25℃，
1.数据在带有2OZ铜的FR-4板上进行测试。
2.数据在脉冲下测试，脉冲宽度≦300，占空比≦2%。
3.EAS数据显示最大额定值。测试条件为L=0.1mH，IAS=567A。
4.功率损耗受150℃结温限制。
5.理论上，数据与ID和IDM相同，在实际应用中，应受功率损耗限制。
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参数：
VDS（Drain-Source Voltage）：100V
VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限100A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值66A
IDM（Pulsed Drain Current）：420A
PD（Total Power Dissipation）：TC = 25℃ 对应208W,TA = 25℃对应2.08W
EAS单脉冲雪崩能量:161mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:60°C\W
RθJC:结到壳的热阻:0.6°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
注：电气特性 除非另有说明，TC=25℃，
1.数据在带有2OZ铜的FR-4板上进行测试。
2.数据在脉冲下测试，脉冲宽度≦300，占空比≦2%。
3.EAS数据显示最大额定值。测试条件为L=0.1mH，IAS=567A。
4.功率损耗受150℃结温限制。
5.理论上，数据与ID和IDM相同，在实际应用中，应受功率损耗限制。
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