中科君芯JFG14N40G 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET是种特定的功率场效应晶体管（MOSFET）主要应用在
电池管理 、系统与电源管理，MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性，特别适用于需要高效、大电流驱动的电路，如汽车电子、工业控制等领域。其关键参数和特性如下：
功能特性：
设备额定电压VDS:=40V,连续工作时漏极电流上限 ID = 150A
导通电阻=2.7mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 20A
•专有高密度沟槽技术
符合RoHS和无卤素 （不含卤素或卤素含量极低的材料或产品）
封装：TO-220-3L
电气特性：
VDS（Drain-Source Voltage）：40V
VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限150A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值95A
IDM（Pulsed Drain Current）：600A
PD（Total Power Dissipation）：TC = 25℃ 对应1.4W,TA = 25℃对应2.15W
EAS单脉冲雪崩能量:150mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58C\W
RθJC:结到壳的热阻:1.2°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
除非另有说明，TC=25℃
————其他详细参数请联系深圳市泰凌微电子有限公司团队————————————
VDS（Drain-Source Voltage）：40V
VGS（Gate-Source Voltage）：±20V
ID（Continuous Drain Current）：Tc=25°对应最大漏极电流上限150A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值95A
IDM（Pulsed Drain Current）：600A
PD（Total Power Dissipation）：TC = 25℃ 对应1.4W,TA = 25℃对应2.15W
EAS单脉冲雪崩能量:150mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58C\W
RθJC:结到壳的热阻:1.2°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
除非另有说明，TC=25℃
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